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    等離子體發生器刻蝕ICP刻蝕工藝廣泛應用于硅碳刻蝕領域

    • 分類:業界動態
    • 作者:等離子清洗機-CRF plasma等離子設備-等離子表面處理機廠家-誠峰智造
    • 來源:低溫等離子設備生產廠家
    • 發布時間:2022-01-03
    • 訪問量:

    【概要描述】等離子體發生器刻蝕ICP刻蝕工藝廣泛應用于硅碳刻蝕領域: ? ? ? ?作為1種新的非金屬材料,化學反應煅燒碳碳復合材料(RB-SiC)具有較高的強度、比剛度、高導熱系數、小膨脹系數等特征.隨著光學技術迅速向大口徑方向發展,光學器件向低損耗、輕量化的方向發展,標準具有高分辨率、寬視場和高質量的表面形貌。 ? ? ? ?由于RB-SiC材料具有許多優良的性能,因此對材料表面光學品質指出了更強的標準。SiC的加工方法有電化學腐蝕、機械加工、超聲加工、激光刻蝕、等離子體刻蝕等。在等離子體發生器中,化學離子刻蝕工藝(RIE)、電子器件回旋共振(ECR)和電感耦合等離子體(ICP)都是在其中的一種。ICP刻蝕裝置具有選擇性、各向異性結構簡單、操作方便、易于控制等優點,廣泛應用于SiC刻蝕應用。 ? ? ? ICP刻蝕工藝主要用于SiC半導體器件和微機電系統(MEMS)器件的加工和制造,刻蝕表面質量,提高SiC微波功率器件的性能品質。ICP腐蝕工藝完整的腐蝕過程可以分為三個步驟:①腐蝕物質的吸附;②揮發物的形成;③脫附。這一過程包含了化學過程和物理過程:刻蝕氣體以電感耦合的方式發生輝光放電,產生活性基團。例如,中性微粒與電子器件等,中性微粒與被刻蝕材料表面的原子發生化學反應,產生易揮發物質,這種副產物通過真空系統提取腔來進行氣體化學腐蝕。

    等離子體發生器刻蝕ICP刻蝕工藝廣泛應用于硅碳刻蝕領域

    【概要描述】等離子體發生器刻蝕ICP刻蝕工藝廣泛應用于硅碳刻蝕領域:
    ? ? ? ?作為1種新的非金屬材料,化學反應煅燒碳碳復合材料(RB-SiC)具有較高的強度、比剛度、高導熱系數、小膨脹系數等特征.隨著光學技術迅速向大口徑方向發展,光學器件向低損耗、輕量化的方向發展,標準具有高分辨率、寬視場和高質量的表面形貌。
    ? ? ? ?由于RB-SiC材料具有許多優良的性能,因此對材料表面光學品質指出了更強的標準。SiC的加工方法有電化學腐蝕、機械加工、超聲加工、激光刻蝕、等離子體刻蝕等。在等離子體發生器中,化學離子刻蝕工藝(RIE)、電子器件回旋共振(ECR)和電感耦合等離子體(ICP)都是在其中的一種。ICP刻蝕裝置具有選擇性、各向異性結構簡單、操作方便、易于控制等優點,廣泛應用于SiC刻蝕應用。
    ? ? ? ICP刻蝕工藝主要用于SiC半導體器件和微機電系統(MEMS)器件的加工和制造,刻蝕表面質量,提高SiC微波功率器件的性能品質。ICP腐蝕工藝完整的腐蝕過程可以分為三個步驟:①腐蝕物質的吸附;②揮發物的形成;③脫附。這一過程包含了化學過程和物理過程:刻蝕氣體以電感耦合的方式發生輝光放電,產生活性基團。例如,中性微粒與電子器件等,中性微粒與被刻蝕材料表面的原子發生化學反應,產生易揮發物質,這種副產物通過真空系統提取腔來進行氣體化學腐蝕。

    • 分類:業界動態
    • 作者:等離子清洗機-CRF plasma等離子設備-等離子表面處理機廠家-誠峰智造
    • 來源:低溫等離子設備生產廠家
    • 發布時間:2022-01-03 17:33
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    等離子體發生器刻蝕ICP刻蝕工藝廣泛應用于硅碳刻蝕領域:
           作為1種新的非金屬材料,化學反應煅燒碳碳復合材料(RB-SiC)具有較高的強度、比剛度、高導熱系數、小膨脹系數等特征.隨著光學技術迅速向大口徑方向發展,光學器件向低損耗、輕量化的方向發展,標準具有高分辨率、寬視場和高質量的表面形貌。

    等離子體發生器       由于RB-SiC材料具有許多優良的性能,因此對材料表面光學品質指出了更強的標準。SiC的加工方法有電化學腐蝕、機械加工、超聲加工、激光刻蝕、等離子體刻蝕等。在等離子體發生器中,化學離子刻蝕工藝(RIE)、電子器件回旋共振(ECR)和電感耦合等離子體(ICP)都是在其中的一種。ICP刻蝕裝置具有選擇性、各向異性結構簡單、操作方便、易于控制等優點,廣泛應用于SiC刻蝕應用。
          ICP刻蝕工藝主要用于SiC半導體器件和微機電系統(MEMS)器件的加工和制造,刻蝕表面質量,提高SiC微波功率器件的性能品質。ICP腐蝕工藝完整的腐蝕過程可以分為三個步驟:①腐蝕物質的吸附;②揮發物的形成;③脫附。這一過程包含了化學過程和物理過程:刻蝕氣體以電感耦合的方式發生輝光放電,產生活性基團。例如,中性微粒與電子器件等,中性微粒與被刻蝕材料表面的原子發生化學反應,產生易揮發物質,這種副產物通過真空系統提取腔來進行氣體化學腐蝕。

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